Транзисторы биполярные. / Транзистор BUT18A TO-220FP
Транзистор BUT18A TO-220FP

от 1 шт.
0.5 $
от 25 шт.
0.42 $
от 50 шт.
0.38 $
Есть в наличии
Код товара: 347

Транзистор BUT18A TO-220FP.

Транзистор BUT18A корпус To220 купить в интернет-магазине pnp. in. ua - уникальная, радиокомпонента. Отличная. Двухполюсный транзистор применяется во всяких нынешних числовых и аналоговом устройствах. Для радиоприемников, телевизоров и передатчиков наиболее часто используются биполярные транзисторы. И целиком в результате именно специальным свойствам этих радиоэлектронных компонентов. Современный биполярный транзистор является, что необходимо, промышленными и высокими качествами компонентов. Двухполюсный транзистор применяется в нынешнем моделирующем и цифровое производства. Более чем много раз они встречаются в схемах современного радиоприемника и телевизора, различных сигнальных усилителей, радиопередатчиков и других устройств. Для биполярных транзисторов существует вполне естественная аппаратура. Почти всегда Мосфиты изготавливаются из кремниевого кристалла. Мосфиты исполняют собою троя среды полупроводников, отдельный из каких присоединяется к электроду. Второй вывод, как правило, считается базовым, оставшиеся оба - эмиттерами и коллекторами. Качества Мосфитов подходящий от качества полупроводникового круга, материалов, видов и другого фактора. На самом деле, данный подходящий от величины транзисторов и подобно соединенья его. В биполярных транзисторах есть несколько рабочих режимов. В обычных порядках действии транзисторов эмиттера-база открывается, а транзистор коллектора-база закрывается. Если транзисторные переходы открыты, наоборот, эмиттерная база закрыта. А если коллектор база открыта, мы получим энергичный порядок активации. Когда оба перехода раскрыты, обращены на центр, то данный порядок именуется системой насыщенности. При этом на базу направлены микроток интенсивности эмиттера, коллектора. Существует режим отсечки, так называемый В. Случае, когда перемещение коллектора будет возвращаться - обратно, на перемещение эмиттера, станут двигаться как прямо, так и обратно перемещения напряжения на перемещение эмиттера. В режиме барьера транзистора действует в виде самостоятельного триода. Для активации такого режима действии транзисторов впереди эмиттерного или коллекторного перехода ставиться сопротивление.

Технические характеристики.

   Pc   Ucb   Uce  Ueb   Ic     Tj   Hfe
 110W  800V  450V   5V   6A  200°C   20T