Транзистор RFP7N50  TO-220.

Транзистор RFP7N50 полевой . Корпус To-220 исполнен на первооснове полусферы из полупроводника N-типа. Как и в двухполюсном транзисторе, с двух сторон к плашке воссоединены два вывода: "сток" и "исток" а управляющий вывод - затворка. Изменяя поляризацию и уровень прислонённого перенапряжения к затвору, надо распоряжаться сокращением или разрастанием канальчика, внешним противодействием. Пре самое главное - электротоком через транзистор. Поскольку транзистор именуется "полевым", планирование создаётся электромагнитным полем, а не током базы, как в двухполюсном транзисторе. Это разрешает не расходовать добавочную энергию. Проход полевого транзистора владеет значимым противостоянием, что разрешает подсоединять высокоомный первоисточник электромагнитных колыханий. Также транзистор RFP7N50 обуславливается перенапряжением отсечки на участочке "затвор"-"исток". Этот параметр - допустимое понятие, при котором электроток через ка нальчик транзистора целиком стихает. От электротока через транзистор и противодействия канальчика обуславливается распыляемая мощность транзистора. Если транзистор предполагается установлять в сверхвысокочастотные системы, вдобавок необходимо обусловливать входную емкость и времечко подключения. При конструировании систем с использованием полевого транзистора RFP7N50 следует отмечать чувствительность к перегреву, высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества. В связи с этим При пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.

Технические характеристики.