Интегральная микросхема LM358

Первоначально термин был относиться к пластине "тонкой пластины" микросхемы кристалла, микроэлектронике, электронной проекту произвольная цель кристаллов, сделанной в полупроводнике подложке пластинки или плены и расположенной в неразборчивом устройстве в случае входа в микросборку или без нее. В большинстве случаев чипы изготавливают в корпусах, предназначенные для монтажа сверху Много раз. Интегративная схема Ис является свой кристалл и плену электронной схемы, а чипы устанавливается в корпусе. При этом выражение компонентов цепового типа значит "элементы верхнего монтажа" а не элементы для установки в отверстии на плате. В это время слово чип-компоненты обозначает "элементы для установки сверху" в отличие от элементов для установки в отверстия на плате. По уровню интеграции. Для определения степени интегрирования применяются следующие марки чипа схемы: небольшой чип Мис - до 100 мкм кристалла, средний чип Сис - до 1000 мкм кристалла, большой интегральный Бис - до 10 мкм кристалла, большой интегральный Бис - до 10 мкм кристалла, большой интегральный Бис - до 10 мкм. С бис - сверхбольшая схема элементов кристалла - больше 10 тысяч элементов кристалла. Ранее также использовались устаревшие наименования: Ультра большая интегральная система У бис от 1 до 10 млн. В кристалле до 1 миллиардов элементов, а иногда большая интегральная Гбис-схема более 1 миллиардов элементов. В 2010 году названия Ubis и Gbis почти не использовались, и все чипсы с более 10 тысяч элементов относятся к классу Ubis. Назначение. Микросхема LM 358

Интегральная микросхема может иметь законченную, сколько угодно сложную функциональность. Операционный усилительный чип LM 358 - усиливает постоянные токи с отличительным доступом и, как условие, одним выходом. Имеющий высокий показатель усиления LM 358 примерно постоянно используют в схемах с высокой минусовой обратной связью. В результате большого показателя усиления Ou в полной мере определяется коэффициентом усиления передаваемой схемы, благодаря которой показатель усиления передаваемой схемы всегда определяется показателем усиления передаваемой схемы. Сейчас LM 358 широко применяется как отдельными чипами, так и функциональными блоками в составе сложнейших интегральных схем. Такое распространение обусловлено то, в LM 358 - является блоком с характеристиками, близкими к идеалу. На основание данного чипа возможно изготавливать много различных электронных блоков.   LM 358 способные трудиться в большом диапазоне напряжений источников электропитания. Типичное значение для LM 358 общего применения - от 1,5 до 15 В  при двух полярном питании, то есть U - 1, 5.15, В, U -15.-1, 5 В.Допускается значительный перекос. 

Электроэнергия чипа LM 358.

В общих чертах LM 358 пользуется двухполюсным питанием, т.е.у ресурса питания имеется 3 отвода и последующими U-потенциалами, к которым присоединяют Vs 0 нулевой потенциал U-потенциалов, к которым присоединяется Vs. Энергия электропитания нулевого потенциала непосредственно не подключается к LM 358, но обычно это сигнальная земля и применяется для того, чтобы создать обратную связь. Вместо двух полярных часто применяют больше обычные одно – полюсные, а равный конец делают искусственно или соединяют с отрицательным питанием. LM 358 может действовать во всяких сферах напряжений источников энергии. Простое величину LM 358 для общего использования от 1, 5В до 15В. При двух полярных питаниях, т.е. U 1, 515 В U-15-1, 5 В допускается существенный перекос.

• Технические характеристики.
• Однополярное питание - от 3 В до - 32 В.  
• Двух полярное питание от - 1,5 до 16 В.  
• Ток потребления : 0,7 mA.        
• Входное напряжение смещения : 3 мВ.    
• Дифференциальное входное напряжение : 32 V.      
• Синфазный входящий ток : 20 нА.  
• Дифференциальный входящий ток : 2 нА      
• Дифференциальный коэффициент усиления по напряжению : 100 дБ.  
• Размах выходного напряжения : от 0 до VCC - 1,5 В.    
• Коэффициент гармонических искажений : 0,02%.  
• Максимальная скорость увеличения выходного сигнала : 0,6 В/ мкс.
• Частота единичного усиления с температурной компенсацией : 1,0 MГц.    
• Максимальная рассеиваемая мощность : 830 мВт.        
• Диапазон рабочих температур : 0...70* С.  
• Корпус DIP 8.