Интегральная микросхема LM386N

Первоначально термин был относиться к пластине "тонкой пластины" микросхемы кристалла, микроэлектронике, электронной проекту произвольная цель кристаллов, сделанной в полупроводнике подложке пластинки или плены и расположенной в неразборчивом устройстве в случае входа в микросборку или без нее. В большинстве случаев чипы изготавливают в корпусах, предназначенные для монтажа сверху Много раз. Интегративная схема Ис является свой кристалл и плену электронной схемы, а чипы устанавливается в корпусе. При этом выражение компонентов цепового типа значит "элементы верхнего монтажа" а не элементы для установки в отверстии на плате. В это время слово чип-компоненты обозначает "элементы для установки сверху" в отличие от элементов для установки в отверстия на плате. По уровню интеграции. Для определения степени интегрирования применяются следующие марки чипа схемы: небольшой чип Мис - до 100 мкм кристалла, средний чип Сис - до 1000 мкм кристалла, большой интегральный Бис - до 10 мкм кристалла, большой интегральный Бис - до 10 мкм кристалла, большой интегральный Бис - до 10 мкм. С бис - сверхбольшая схема элементов кристалла - больше 10 тысяч элементов кристалла. Ранее также использовались устаревшие наименования: Ультра большая интегральная система У бис от 1 до 10 млн. В кристалле до 1 миллиардов элементов, а иногда большая интегральная Гбис-схема более 1 миллиардов элементов. В 2010 году названия Ubis и Gbis почти не использовались, и все чипсы с более 10 тысяч элементов относятся к классу Ubis. Назначение. Микросхема LM386N

Интегральная микросхема может иметь законченную, сколько угодно сложную функциональность. Операционный усилительный чип LM386N - усиливает постоянные токи с отличительным доступом и, как условие, одним выходом. Имеющий высокий показатель усиления LM386N примерно постоянно используют в схемах с высокой минусовой обратной связью. В результате большого показателя усиления Ou в полной мере определяется коэффициентом усиления передаваемой схемы, благодаря которой показатель усиления передаваемой схемы всегда определяется показателем усиления передаваемой схемы. Сейчас LM386N широко применяется как отдельными чипами, так и функциональными блоками в составе сложнейших интегральных схем. Такое распространение обусловлено то, в LM386N - является блоком с характеристиками, близкими к идеалу. На основание данного чипа возможно изготавливать много различных электронных блоков.   LM386N способные трудиться в большом диапазоне напряжений источников электропитания. Типичное значение для LM386N общего применения - от 1,5 до 15 В  при двух полярном питании, то есть U - 1, 5.15, В, U -15.-1, 5 В.Допускается значительный перекос. 

Электроэнергия чипа LM386N.

В общих чертах LM386N пользуется двухполюсным питанием, т.е.у ресурса питания имеется 3 отвода и последующими U-потенциалами, к которым присоединяют Vs 0 нулевой потенциал U-потенциалов, к которым присоединяется Vs. Энергия электропитания нулевого потенциала непосредственно не подключается к LM386N, но обычно это сигнальная земля и применяется для того, чтобы создать обратную связь. Вместо двух полярных часто применяют больше обычные одно – полюсные, а равный конец делают искусственно или соединяют с отрицательным питанием. LM386N может действовать во всяких сферах напряжений источников энергии. Простое величину LM386N для общего использования от 1, 5В до 15В. При двух полярных питаниях, т.е. U 1, 515 В U-15-1, 5 В допускается существенный перекос.

• Технические характеристики.   
• Ток покоя - 4 mA.   
• Максимальная выходная мощность - 1.25 Вт - при R нагрузке - 8 Ом.   
• Коэфициент усиления - 20 до 200  
• Пропускная способность: 300 кГц.   
• Низкий уровень искажений : 0,2%.   
• Широкий уровень питающего напряжения : 4...12 В или 5... 18 В.    
• Корпус DIP 8.